Avancerad sökning
Visar resultat 1 - 5 av 51 avhandlingar som matchar ovanstående sökkriterier.
1. Att odla ett samhälle : Råby räddningsinstitut och 1840-talets sociala ingenjörskonst
Sammanfattning : This dissertation uses the metaphor of cultivating society to discuss social engineering as it came to expression in the texts and activities of Råby reformatory in Sweden during the 1840’s. The concept of the gardening state as expressed in Zygmunt Bauman’s Modernity and the Holocaust and James C. LÄS MER
2. Odla fisk rätt - en systemanalytisk undersökning av den rättsliga styrningen av svenskt vattenbruk
Sammanfattning : Undersökningen fokuserar på den rättsliga styrningen av den svenska vattenbruksnäringen – en näring som under lång tid har identifierats som en potentiellt central del i den svenska livsmedelsförsörjningen men som inte har varit föremål för den utveckling som under lång tid varit ett uttalat mål. Näringen är samtidigt ingalunda oproblematisk och den rättsliga styrningen används för att tillförsäkra en hållbar näringsutveckling i enlighet med uppsatta mål, såväl avseende skyddsintressen som produktionsintressen. LÄS MER
3. Advances in SiC growth using chloride-based CVD
Sammanfattning : Silicon Carbide (SiC) is a wide band-gap semiconductor. Similar to silicon it can be used to make electronic devices which can be employed in several applications. SiC has some unique features, such as wide band-gap, high hardness, chemical inertness, and capability to withstand high temperatures. LÄS MER
4. Hit med pengarna! : Sparandets genealogi och den finansiella övertalningens vetandekonst
Sammanfattning : Idag pågår i hela västvärlden försök att finansiellt utbilda allmänheten. Vi möts överallt av finansiell reklam. I de nya budskapen om bra finansiellt beteende finns en ny slags moralism – det är tesen i denna avhandlings kritiska genealogi över penningsparandets påbjudna sanningar, moral och känsloliv under två århundraden. LÄS MER
5. Chloride-based Silicon Carbide CVD
Sammanfattning : Silicon carbide (SiC) is a promising material for high power and high frequency devices due to its wide bandgap, high break down field and high thermal conductivity. The most established technique for growth ofepitaxial layers of SiC is chemical vapor deposition (CVD) at around 1550 °C using silane, SiH4, and lighthydrocarbons e g propane, C3H8, or ethylene, C2H4, as precursors heavily diluted in hydrogen. LÄS MER
