Sökning: "gate length"

Visar resultat 1 - 5 av 35 avhandlingar innehållade orden gate length.

  1. 1. Scaling of InGaAs/InAlAs and InAs/AlSb HEMTs for microwave/mm-wave applications

    Författare :Malin Borg; [2007]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; metamorphic; InGaAs; gate length; pseudomorphic; InAs; AlSb; InP; Schottky layer; High electron mobility transistor HEMT ; drain bias;

    Sammanfattning : The InGaAs/InAlAs high electron mobility transistor (HEMT) offers the highest maximum frequency of oscillation fmax and the lowest noise performance (NFmin) for microwave/mm-wave receivers. Similar to other device technologies, the performance of the InGaAs/InAlAs HEMT has gradually been improved by device scaling. LÄS MER

  2. 2. Fabrication, characterization, and modeling of metallic source/drain MOSFETs

    Detta är en avhandling från Stockholm : KTH Royal Institute of Technology

    Författare :Valur Gudmundsson; KTH.; [2011]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; Metallic source drain; contact resistivity; Monte Carlo; NiSi; PtSi; SOI; UTB; tri-gate; FinFET; multiple-gate; nanowire; MOSFET; CMOS; Schottky barrier; silicide; SALICIDE;

    Sammanfattning : As scaling of CMOS technology continues, the control of parasitic source/drain (S/D) resistance (RSD) is becoming increasingly challenging. In order to control RSD, metallic source/drain MOSFETs have attracted significant attention, due to their low resistivity, abrupt junction and low temperature processing (≤700 °C). LÄS MER

  3. 3. Novel Processing and Electrical Characterization of Nanowires

    Detta är en avhandling från Stockholm : KTH Royal Institute of Technology

    Författare :Kristian Storm; Lunds universitet.; Lund University.; Lunds universitet.; Lund University.; [2013]
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; Gate; Capacitance; Hall effect; InP; InAs; Characterization; Nanowires; Processing; LED; Transistor; Fysicumarkivet A:2013:Storm;

    Sammanfattning : Popular Abstract in Swedish Nanoteknik och nanotrådar omnämns ofta media idag, men vad är egentligen en nanotråd, och vad kan den användas till? Dagens datorer, lysdioder och solceller är till stor del beroende av halvledare. En halvledare är ett kristallint material där man enkelt kan ändra ledningsförmågan. LÄS MER

  4. 4. Growth, Physics, and Device Applications of InAs-based Nanowires

    Detta är en avhandling från Solid State Physics, Lund University

    Författare :Linus Fröberg; Lunds universitet.; Lund University.; [2008]
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; field effect transistors; Low-dimensional structures; nanowires; chemical beam epitaxy; heterostructures; III-V; InP; InAs; quantum dots; gate all-around; wrap gate;

    Sammanfattning : This thesis is based on three different projects: 1) the epitaxial growth of nanowires using chemical beam epitaxy, 2) the study of electron transport through quantum dots and multiple quantum dots in nanowires at low temperature, and 3) the development of wrap gated nanowire field effect transistors. In the first part, a method of studying the diffusion of the source material on the substrate surface was developed. LÄS MER

  5. 5. Transport Studies of Local-Gate Defined Quantum Dots in Nanowires

    Detta är en avhandling från Solid State Physics

    Författare :Carina Fasth; Lunds universitet.; Lund University.; [2007]
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; Semiconductory physics; Fysik; Physics; quantum devices; nanowire; quantum dot; Halvledarfysik;

    Sammanfattning : Popular Abstract in Swedish Kvantprickar är objekt där elektroner är instängda i en mycket liten volym (av storleksordningen 100 nanometer i varje riktning). I den här avhandlingen har vi studerat kvantprickar definierade i nanotrådar av halvledarmaterial. LÄS MER