Sökning: "channel modeling"

Visar resultat 21 - 25 av 133 avhandlingar innehållade orden channel modeling.

  1. 21. On some continuous-time modeling and estimation problems for control and communication

    Detta är en avhandling från Karlstad : Karlstads universitet

    Författare :Yasir Irshad; Karlstads universitet.; [2013]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; System Identification; Parameter Estimation; Continuous-time Stochastic Systems; Networked Control Systems; Errors-in-variables Systems; Wireless Channel Modeling; Closed-loop Identification; Physics; Fysik;

    Sammanfattning : The scope of the thesis is to estimate the parameters of continuous-time models used within control and communication from sampled data with high accuracy and in a computationally efficient way.In the thesis, continuous-time models of systems controlled in a networked environment, errors-in-variables systems, stochastic closed-loop systems, and wireless channels are considered. LÄS MER

  2. 22. Modeling and characterization of novel MOS devices

    Detta är en avhandling från Kista : Mikroelektronik och informationsteknik

    Författare :Stefan Persson; KTH.; [2004]
    Nyckelord :MOSFET; SiGe; high-k dielectric; metal gate; mobility; charge sheet model; retrograde channel structure; intrinsic charge; intrinsic capacitance; contact resistivity;

    Sammanfattning : Challenges with integrating high-κ gate dielectric,retrograde Si1-xGexchannel and silicided contacts in future CMOStechnologies are investigated experimentally and theoreticallyin this thesis. ρMOSFETs with either Si or strained Si1-xGex surface-channel and different high-κgate dielectric are examined. LÄS MER

  3. 23. Foam-formed Fiber Networks: Manufacturing, Characterization, and Numerical Modeling With a Note on the Orientation Behavior of Rod-like Particles in Newtonian Fluids

    Detta är en avhandling från Sundsvall : Mid Sweden University

    Författare :Majid Alimadadi; Mittuniversitetet.; [2018]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; 3D fiber network structure; foam forming; numerical modeling; compression simulation; orientation; wall-bounded flow; CFD; Jeffery orbits; LS-DYNA;

    Sammanfattning : Fiber networks are ubiquitous and are seen in both industrial materials (paper and nonwovens) and biological materials (plant cells and animal tissues). Nature intricately manipulates these network structures by varying their density, aggregation, and fiber orientation to create a variety of functionalities. LÄS MER

  4. 24. On Radio Frequency Behavioral Modeling Measurement Techniques, Devices and Validation Aspects

    Detta är en avhandling från Stockholm : Skolan för elektro- och systemteknik, Kungliga Tekniska högskolan

    Författare :Per Niklas Landin; Högskolan i Gävle.; KTH.; [2009]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; TECHNOLOGY Electrical engineering; electronics and photonics Electronics; TEKNIKVETENSKAP Elektroteknik; elektronik och fotonik Elektronik;

    Sammanfattning : Effektförstärkare för radiofrekvensapplikationer utgör fortfarande ett av de största problemen i trådlösa kommunikationssystem. Detta beror på att dessa förstärkare är ickelinjära, har låg energieffektivitet och ger mycket distortioner. Bättre verktyg för att förstå och korrigera dessa beteenden är nödvändiga. LÄS MER

  5. 25. RF and Noise Optimization of Pseudomorphic inP HEMT Technology

    Detta är en avhandling från Stockholm : Skolan för elektro- och systemteknik, Kungliga Tekniska högskolan

    Författare :Mikael Malmkvist; [2006]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; fabrication; high electron mobility transistor HEMT ; optimization; Schottky layer; InAlAs; Indium phosphide InP ; MMIC.; noise; pseudomorphic; modeling; InGaAs;

    Sammanfattning : The InGaAs-InAlAs-InP high electron mobility transistor (InP HEMT) is the electronic device utilized for the highest frequency and/or the lowest noise applications known to date for analog transistor-based circuits. Hence it is of both scientific and technological interest to explore the InP HEMT for even further improvement in device performance. LÄS MER