Sökning: "Silicon Carbide"

Visar resultat 1 - 5 av 132 avhandlingar innehållade orden Silicon Carbide.

  1. 1. Point Defects in Silicon and Silicon-Carbide

    Detta är en avhandling från Kista : Mikroelektronik och informationsteknik

    Författare :Paolo Pellegrino; KTH.; [2001]
    Nyckelord :silicon; silicon carbide; defects; dlts;

    Sammanfattning : .... LÄS MER

  2. 2. Capacitance Spectroscopy of Point Defects in Silicon and Silicon Carbide

    Detta är en avhandling från Kista : Mikroelektronik och informationsteknik

    Författare :Denny Åberg; KTH.; [2001]
    Nyckelord :capacitance spectrocopy; deep levels; deep level transient spectroscopy; thermal donors; thermal double donors; ultra shallow thermal donors; chemical kinetics; silicon carbide; ion implantation; implantation induced defects; implantation induced pas;

    Sammanfattning : .... LÄS MER

  3. 3. Termination and passivation of Silicon Carbide Devices

    Detta är en avhandling från Stockholm : KTH

    Författare :Maciej Wolborski; KTH.; [2005]
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; Silicon Carbide; SiC; passivation; dielectric materials; NATURAL SCIENCES Physics Condensed matter physics Semiconductor physics; NATURVETENSKAP Fysik Kondenserade materiens fysik Halvledarfysik;

    Sammanfattning : Silicon carbide rectifiers are commercially available since 2001, and MESFET switches are expected to enter the market within a year. Moreover, three inch SiC wafers can be purchased nowadays without critical defects for the device performance and four inch substrate wafers are announced for the year 2005. LÄS MER

  4. 4. Junction barrier schottky rectifiers in silicon carbide

    Detta är en avhandling från Kista : Mikroelektronik och informationsteknik

    Författare :Fanny Dahlquist; KTH.; [2001]
    Nyckelord :Silicon carbide; JBS rectifier; Junction Barrier Schottky JBS ; Schottky rectifieer; Power rectifier; Unipolar devices; Punch-through design;

    Sammanfattning : .... LÄS MER

  5. 5. Junction Barrier Schottky Rectifiers in Silicon Carbide

    Detta är en avhandling från Kista : Mikroelektronik och informationsteknik

    Författare :Fanny Dahlquist; KTH.; [2002]
    Nyckelord :silicon carbide; JBS rectifier; Junction Barrier Schottky JBS ; Schottky rectifier; MPS rectifier; power rectifier; punch-through design; power loss; high blocking voltage;

    Sammanfattning : .... LÄS MER