Sökning: "Ohmic contacts"

Visar resultat 16 - 20 av 21 avhandlingar innehållade orden Ohmic contacts.

  1. 16. Quantum Devices from the Assembly of Zero- and One-Dimensional Building Blocks

    Detta är en avhandling från Division of Solid State Physics, Box 118, 221 00 Lund

    Författare :Claes Thelander; Lunds universitet.; Lund University.; [2003]
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; quantum devices; classical mechanics; quantum mechanics; relativity; statistical physics; thermodynamics; Matematisk och allmän teoretisk fysik; klassisk mekanik; kvantmekanik; relativitet; gravitation; termodynamik; statistisk fysik; Mathematical and general theoretical physics; single-electron transistor; nanowires; AFM; carbon nanotubes; Fysicumarkivet A:2003:Thelander;

    Sammanfattning : Popular Abstract in Swedish Ämnet för den här avhandlingen är tillverkning och studier av elektroniska komponenter tillverkade av mycket små tråd- och punktformade byggmateriel. Diametern hos en sådan tråd kan vara så liten som 1 nanometer, vilket motsvarar en miljondels millimeter. LÄS MER

  2. 17. Processing, Characterization and Modeling of AlGaN/GaN HEMTs

    Detta är en avhandling från Division of Solid State Physics, Box 118, 221 00 Lund

    Författare :Vincent Desmaris; [2006]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; GaN; HEMT; III-Nitride processing; microwave modeling; AlGaN GaN; HFET; heterojunction field effect transistor; microwave devices; III-Nitride; Schottky diodes; Gallium nitride; resistive mixer; high electron mobility transistor; wide bandgap;

    Sammanfattning : III-Nitrides electronic properties make them currently the materials of choice for high-power high-frequency applications. Their wide bandgaps, high breakdown fields, the high electron peak and saturation velocities combined with the large conduction band offset and the high electron mobility observed in AlGaN/GaN heterostructures enable excellent microwave power performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). LÄS MER

  3. 18. Development of new characterization techniques for III-V nanowire devices

    Detta är en avhandling från Lund University, Faculty of Science, Department of Physics, Division of Synchrotron Radiation Research

    Författare :Olof Persson; Lunds universitet.; Lund University.; [2017-01]
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; STM; XPS; Semiconductor nanowires; nanowire devices; top contact mode; HAXPES; Fysicumarkivet A:2017:Persson;

    Sammanfattning : Den här avhandlingen presenterar nya metoder och tekniker som utvecklats för att undersöka nanotrådars (NT) och NT-enheters egenskaper, och de resultat som erhållits med dessa. Växt och karakterisering av NT har blivit en stor forskningsområde då NT har visat sig förbättra egenskaperna hos många tillämpningar inom halvledarteknologin, såsom transistorer, solceller och lysdioder. LÄS MER

  4. 19. On millimeter and submillimeter wave focal plane arrays implemented with MEMS waveguide switches

    Detta är en avhandling från KTH Royal Institute of Technology

    Författare :Henrik Frid; [2017]
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; Extended Hemispherical Lens; Beam Steering; Focal Plane Array FPA ; Ray-Tracing; RF MEMS; waveguide switch; micromachined waveguide; submillimeter-wave; rectangular waveguide; terahertz; lenses; antenna theory; silicon; Electrical Engineering; Elektro- och systemteknik;

    Sammanfattning : This thesis presents research towards enabling micromachined millimeter and submillimeter wave focal plane arrays (FPAs). The FPAs operate under the following principle: a switch network consisting of microelectromechanical (MEMS) switches, integrated with micromachined waveguides, is used to feed an array of antenna elements, located in the focal plane of a high-gain quasi-optical system. LÄS MER

  5. 20. Study of novel electronic materials by mid-infrared and terahertz optical Hall effect

    Detta är en avhandling från Linköping : Linköping University Electronic Press

    Författare :Nerijus Armakavicius; Linköpings universitet.; Linköpings universitet.; [2017]
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY;

    Sammanfattning : Development of silicon based electronics have revolutionized our every day life during the last three decades. Nowadays Si based devices operate close to their theoretical limits that is becoming a bottleneck for further progress. LÄS MER