Gallium nitride templates and its related materials for electronic and photonic devices

Detta är en avhandling från Stockholm : KTH

Författare: Thomas Aggerstam; Kth.; [2008]

Nyckelord: TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; GaN; heteroepitaxy of GaN; BGaAlN; Fe doped GaN; HEMT; carrier capture cross section; intersubband transition modulator; TECHNOLOGY Materials science; TEKNIKVETENSKAP Teknisk materialvetenskap;

Sammanfattning:

KLICKA HÄR FÖR ATT SE AVHANDLINGEN I FULLTEXT. (PDF-format)