High Frequency Characterization and Modeling of SiGe Heterojunction Bipolar Transistors

Detta är en avhandling från Kista : Mikroelektronik och informationsteknik

Författare: B. Gunnar Malm; Kth.; [2002]

Nyckelord: Silicon-Germanium SiGe ; heterojunction bipolar transistor HBT ; low-frequency noise; high-frequency noise; harmonic distortion; linearity; device simulation; collector profile; epitaxial base integration; radio frequency RF ; radio frequency inte;

Sammanfattning:

KLICKA HÄR FÖR ATT SE AVHANDLINGEN I FULLTEXT. (PDF-format)