Polycrystalline Si<sub>x</sub>Ge<sub>1-x</sub>as the gate electrode in CMOS technology

Detta är en avhandling från Institutionen för elektronisk systemkonstruktion

Författare: Per-erik Hellberg; Kth.; [2000]

Nyckelord: ;

Sammanfattning:

  Denna avhandling är EVENTUELLT nedladdningsbar som PDF. Kolla denna länk för att se om den går att ladda ner.