High resolution displacement measurement of micromechanical structures : the RDGT

Detta är en avhandling från Chalmers University of Technology

Författare: Anke Weinert; Chalmers Tekniska Högskola.; Chalmers University Of Technology.; [2000]

Nyckelord: TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; Resonant double gate transistor; displacement measure; high resolution; silicon; capacitive detection; low impedance sensing; resonant gate transistor; RGT; RDGT; FET; MOSFET;

Sammanfattning:

  Denna avhandling är EVENTUELLT nedladdningsbar som PDF. Kolla denna länk för att se om den går att ladda ner.