Sökning: "Johan Bergsten"

Visar resultat 1 - 5 av 8 avhandlingar innehållade orden Johan Bergsten.

  1. 1. Dissertatio mathematica sistens controversiam de logarithmis numerorum negativorum, cujus partem secundam consent. ampliss. facult. philos. Upsal. publico examini subjiciunt Nicolaus Johannes Bergsten ... et Carolus Petrus Streng Uplandi. In audit. Gust. maj. d. III Maji. MDCCLXXXVIII. H. a. m. s., P. 2

    Författare :Nils Johan Bergsten; Carl Peter Streng; Nils Johan Bergsten; Uppsala universitet; []
    Nyckelord :;

    Sammanfattning : .... LÄS MER

  3. 2. Dissertatio de inæquali moralitatis mensura, quam, ... præside, ... Johanne Ihre, ... pro laurea, publicæ disquisitioni subjicit, stipendiarius regius, Ericus Bergsten, Nericius, in Auditor. Carol. maj. die VII Junii, MDCCLXXIII, horis ante meridiem solitis

    Författare :Johan Ihre; Erik Bergsten; Johan Ihre; Uppsala universitet; []
    Nyckelord :HUMANIORA; HUMANITIES;

    Sammanfattning : .... LÄS MER

  4. 3. Dissertatio philologica de natura et indole linguarum orientalium communi

    Författare :Johan Adam Tingstadius; Erik Bergsten; Johan Adam Tingstadius; Uppsala universitet; []
    Nyckelord :HUMANIORA; HUMANITIES;

    Sammanfattning : .... LÄS MER

  5. 4. Buffer Related Dispersive Effects in Microwave GaN HEMTs

    Författare :Johan Bergsten; Chalmers tekniska högskola; []
    Nyckelord :NATURVETENSKAP; NATURAL SCIENCES; TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; trapping effects; C-doping; AlGaN GaN interface quality; recessed ohmic contacts; GaN HEMT; buffer design;

    Sammanfattning : In applications such as mobile communication and radar, microwave power generation at high frequency is of utmost importance. The GaN HEMT offers a unique set of properties that makes it suitable for high power amplification at high frequencies. LÄS MER

  7. 5. Advanced Heterostructure Designs and Recessed Ohmic Contacts for III-Nitride-Based HEMTs

    Författare :Johan Bergsten; Chalmers tekniska högskola; []
    Nyckelord :TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY;

    Sammanfattning : Modern III-Nitride (III-N) heterostructures offer high mobility, high electron density, large breakdown voltages and good thermal capabilities. High electron mobility transistors (HEMT) based on III-Ns are therefore ideal for high frequency, high power amplification. The intended applications are within radar and mobile communication. LÄS MER