Silicon Carbide Sigma-Delta Modulatorfor High Temperature Applications

Detta är en avhandling från Stockholm : KTH Royal Institute of Technology

Författare: Ye Tian; Kth.; [2014]

Nyckelord: TEKNIK OCH TEKNOLOGIER; ENGINEERING AND TECHNOLOGY; silicon carbide SiC ; bipolar; sigma-delta; data conversion; OpAmp; integrated circuit IC ; Informations- och kommunikationsteknik; Information and Communication Technology;

Sammanfattning:

KLICKA HÄR FÖR ATT SE AVHANDLINGEN I FULLTEXT. (PDF-format)